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BUK9E2R3-40E,127相关型号
NXP热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BUK9E2R3-40E,127

  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,BUK9E2R3-40E,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列TrenchMOS™
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)2.2 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)87.8nC @ 5V
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)13160pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)293W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I2PAK
  • 封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

其它信息

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